荷蘭鹿特丹, Nov. 19, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) — 以掃描探針技術為主導的 3D 無損線上製程控制解決方案領先機構 Nearfield Instruments 今天宣布一項策略性發展項目，旨在加快半導體計量技術的創新。
作為多年合作計劃的一部分，Nearfield Instruments 將在 Imec 位於魯汶（Leuven）的先進研發設施，部署該公司的旗艦系統QUADRA。 兩間機構將共同開發新一代計量解決方案，以應對半導體製造價值鏈中的關鍵挑戰，當中包括：
- 高數值孔徑極紫外光微影計量技術（High-NA EUV Lithography Metrology）
利用 Nearfield 專屬的高縱橫比（HAR）成像模式（FFTP）開發和表徵高數值孔徑極紫外光阻的 3D 計量技術，以提升掃描器的生產效率。 - 先進邏輯裝置的 3D 輪廓分析
透過 QUADRA 專屬的側壁成像模式，實現對高縱橫比結構，例如互補場效電晶體（CFET）的精確特性分析。 - 3D 異質整合計量技術
提升 3D 整合與混合鍵合（晶圓對晶圓、晶粒對晶圓）之計量與檢測能力。 應用範圍包括銅銲墊及介電層粗糙度、蝕刻、凹陷、整顆晶粒成像和邊緣滾降，這些都可透過 Nearfield Instruments 結合高吞吐量及納米級解像度的超大掃描區域（ULSA）技術而得以實現。
Nearfield Instruments 行政總裁 Hamed Sadeghian 博士說道：「與 Imec 的合作讓我們能夠突破半導體製造流程控制的技術極限。我們攜手應對從場效電晶體的 3D 輪廓分析，到混合鍵合表徵等計量領域的重大挑戰，並透過全 3D 光阻成像為高數值孔徑極紫外光微影技術（High-NA EUV lithography）實現另一次飛躍進程。 對於人工智能晶片時代而言，這些創新極其重要，皆因計量的精密程度、速度和可擴展性直接決定晶片的效能、能源效率和良率。 QUADRA 的設計就是為了滿足這些需求。」
IMEC 行政總裁 Luc van den Hove 補充說：「要克服當今半導體行業所面對的複雜挑戰，先進的計量解決方案必不可少。 通過結合尖端研究和創新技術，我們正為變革的進程鋪下康莊大道，此舉將支持晶片製造的未來發展，並推動數碼時代持續向前邁進。 我們很高興看到歐洲正著手發展先進設備的解決方案，以應對某些迫切的需要，並且希望利用我們的試點生產線來展示部分技術能力。」
這次合作標誌著在彌合尖端計量技術創新與先進半導體製程開發方面，踏出了重要的一步。 透過將 Nearfield Instruments 久經驗證的技術，與 IMEC 極具遠見的研究項目互相結合，這項合作旨在提供具影響力的解決方案，為晶片製造業開創未來。
關於 NEARFIELD INSTRUMENTS
Nearfield Instruments 總部位於荷蘭鹿特丹市，專門為半導體行業提供先進的計量技術及檢測解決方案。 該公司開發並將新一代掃描探針顯微鏡系統商業化，實現真正的 3D 納米級計量技術。
Nearfield 創新的核心在於其專屬平台 QUADRA ，該平台可實現無損、高吞吐量的原子力顯微鏡（atomic force microscopy，AFM）測量，並且具備包括全面側壁測量在內的完整 3D 成像功能。 此舉讓半導體製造商得以精確測量複雜的結構，例如高縱橫比溝槽、通孔及多層堆疊結構，這些結構在先進製程節點和 3D IC 封裝中日趨重要。 該公司的解決方案專為無縫整合至高產量的製造環境而設，具備強大的自動化功能、快速量測週期，以及對半導體製造廠標準的高度兼容性，有助推動新一代半導體製造的創新，以符合行業需求。
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媒體聯絡人：Roland van Vliet 合作夥伴關係總監 Nearfield Instruments B.V. roland.vanvliet@nearfieldinstruments.com | +31 6 20 36 97 41
